삼성전자 "메모리 혁신 통해 HBM5 성능 2배로 높일 것"

삼성전자가 차세대 메모리의 용량과 대역폭을 대폭 끌어올리면서 발열 문제를 개선하는 '큐브(CUBE)' 전략을 1일 공개했다. 8세대 고대역폭메모리(HBM5)와 차세대 메모리 'zHBM'을 앞세워 인공지능(AI) 메모리 시대의 주도권을 강화하겠다는 계획이다.

최장석 삼성전자 메모리사업부 신사업기획팀장(상무)은 이날 대만 타이베이에서 열린 세계 최대 반도체 소재·부품·장비 전시회 '타이완 2026'에서 이 같은 전략을 발표했다. 큐브는 메모리 성능을 좌우하는 용량(capacity), 최적화(utilization), 대역폭(bandwidth), 전력 및 열효율(efficiency)의 앞 글자를 딴 표현이다. 단순히 메모리를 수직으로 쌓는 것을 넘어 3차원(3D) 구조를 활용해 용량과 대역폭, 전력 및 열효율을 동시에 끌어올리는 것이 핵심이다.

이를 통해 삼성전자는 HBM5의 성능을 HBM4E(7세대) 대비 두 배로 끌어올리고, 열 저항은 기존 HBM의 75~90％ 수준으로 낮출 방침이다. zHBM은 HBM5보다 여덟 배 높은 성능을 구현하는 게 목표다. zHBM은 HBM을 그래픽처리장치(GPU), 신경망처리장치(NPU) 등 연산용 칩 위에 수직으로 쌓은 반도체다. 기존 HBM보다 성능과 전력 효율을 대폭 높일 수 있는 기술로 알려져 있다. 삼성전자는 2028년 차세대 낸드플래시 zNAND-O의 첫 시제품 테스트를 하겠다는 구상도 내놨다.

원종환 기자 won0403@hankyung.com